9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STN5PF02V，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STN5PF02V参考价格为1.17美元。STMicroelectronics STN5PF02V封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223。您可以下载STN5PF02V英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STN4NF20L是MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223，包括STripFET？II系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.008826盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.3W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为150pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为1.5 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.9nC@10V，Pd功耗为3.3W，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为1A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极-源极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道。
STN4NF06L是MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008826盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件具有25 ns的上升时间，漏极电阻Rds为100 mOhms，Pd功耗为3.3 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为4 A，下降时间为10 ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
STN4NF30L带有ST制造的电路图。STN4NF30 L采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
