9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP200NF04L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP200NF04L参考价格为0.562美元。STMicroelectronics STP200NF04L封装/规格：MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB。您可以下载STP200NF04L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP200NF03是MOSFET N-CH 30V 120A TO-220，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为195 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为120 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为200S，沟道模式为增强。
STP200NF04是MOSFET N-CH 40V 120A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为140 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件的上升时间为320ns，漏极电阻Rds为3.7mOhms，Pd功耗为310W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为120 A，下降时间为120 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STP200N6F3是由ST制造的MOSFET N-CH 60V 120A TO220。STP200N3F3可在TO-220-3封装中获得，是FET-单体的一部分，并支持MOSFET N-CH60V 120B TO220、N沟道60V 120C（Tc）330W（Tc）通孔TO-220AB。
