9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF7NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF7NM50N价格参考3.902美元。STMicroelectronics STF7NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP。您可以下载STF7NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF7N95K3是MOSFET N沟道950 V 1.1 7.2 A TO-220，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供安装方式功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有35 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为7.2 a，Vds漏极-源极击穿电压为950V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.35欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为34nC，沟道模式为增强。
STF7N80K5是MOSFET N CH 800V 6A TO220FP，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，具有0.011640 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为11.3 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的MDmesh K5，上升时间为8.3ns，Rds漏极-源极电阻为1.2欧姆，Qg栅极电荷为13.4nC，Pd功耗为25W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为22.2 ns。
STF7NK30Z带有ST制造的电路图。STF7NK30 Z采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
