Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
100+ | 9.02781 | 902.78110 |
1000+ | 8.51676 | 8516.76700 |
3000+ | 7.57992 | 22739.78100 |
10000+ | 6.74608 | 67460.88000 |
50000+ | 6.36423 | 318211.75000 |
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Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。