Vishay的第三代功率MOSFET为设计者提供了快速开关、加固器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
TO-220AB封装是所有商业工业应用的普遍首选，功耗水平约为50W。TO-220AA的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
引出线：
IRF740
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 单价: ¥47.48445
-
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- +
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 最大功耗 125W（Tc）
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 供应商设备包装 TO-220
- 漏源电压标 (Vdss) 400伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 10A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1400 pF @ 25 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 43 nC @ 10 V
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 550毫欧姆 @ 5.3A, 10V
IRF740 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF740所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF740 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF740价格参考￥47.484452，你可以下载 IRF740中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF740规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
