9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7321D2TRPBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7321D2TRPBF参考价格为2.004美元。Infineon Technologies IRF7321D2TRPBF封装/规格:MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO。您可以下载IRF7321D2TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF7321D2PBF是MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 62mOhms 23nC,包括管封装,它们设计为以0.019048盎司的单位重量运行,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供封装外壳功能,如SOIC-8,技术设计为在Si中工作,该设备也可以用作单双漏极配置。此外,晶体管类型为1 P沟道,器件提供2 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为32 ns,上升时间为13 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为-4.9 A,Vds漏极-源极击穿电压为-30V,Rds漏极源极电阻为98mOhm,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为34ns,典型接通延迟时间为13ns,Qg栅极电荷为23nC,沟道模式为增强。
IRF7321D2是由IR制造的MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC。IRF7321D1可提供8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET P-CH30V 4.7A-8-SOIC、P沟道30V 4.7V(Ta)2W(Ta)表面安装8-SO。
IRF7321D2TR是由IR制造的MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC。IRF7321D2 TR可提供8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET P-CH30V 4.7A-8-SOIC、P沟道30V 4.7V(Ta)2W(Ta)表面安装8-SO。