Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
IRLR3103TRPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 107W（Tc） 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 558
- 单价: ¥3.56206
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 55A (Tc)
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 最大功耗 107W（Tc）
- 供应商设备包装 D-Pak
- 部件状态 过时的
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1600 pF @ 25 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 19毫欧姆@33A，10V
IRLR3103TRPBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 30V，英飞凌
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| IRLML0100TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.68776 |
IRLR3103TRPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRLR3103TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRLR3103TRPBF价格参考￥3.562058，你可以下载 IRLR3103TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRLR3103TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
