9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7466PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7466PBF价格参考1.366美元。Infineon Technologies IRF7466PBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 11A 8SO。您可以下载IRF7466PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF7465PBF是MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 280mOhms 10nC，包括管封装，设计用于0.019048oz单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供SOIC-8等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为1.2 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为1.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds漏极漏极-漏极电阻为280mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为10nC，沟道模式为增强。
IRF7465TRPBF是MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该器件也可以用作280mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为10nC，该器件提供2.5W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装外壳为SOIC-8，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为1.9A。
IRF7466是由IOR制造的MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC。IRF7466采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC、N沟道30V 11A（Ta）2.5W（Ta）表面安装8-SO。
