特色
- -4安培,-20伏
- RDS(开)=0.065Ω@VGS=-4.5 V
- RDS(开)=0.100Ω@VGS=-2.5 V
- 快速切换速度
- 低栅极电荷(典型值为7.2nC)
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
- 超级SOT™ -6包装:占地面积小(比标准SO-8小72%);薄型(1mm厚)
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。