9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB21NM50N,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STB21NM50N参考价格为1.112美元。STMicroelectronics STB21NM50N封装/规格:MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK。您可以下载STB21NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB21NK50Z是MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK,包括N沟道MDmesh系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.13932盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装盒设计用于to-252-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数的信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有190 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为15 ns,上升时间为20 ns,Vgs栅极-源极电压为30 V,Id连续漏极电流为17 a,Vds漏极-源极击穿电压为500V,Rds导通漏极-漏极电阻为230mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为70ns,典型接通延迟时间为28ns,Qg栅极电荷为85nC,沟道模式为增强。
STB21N90K5是MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5,包括30 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.13932盎司,提供晶体管极性特性,如N沟道,技术设计为在Si中工作,该器件也可以用作299毫欧Rds漏极-源极电阻。此外,Qg栅极电荷为43 nC,该器件提供250 W Pd功耗,该器件具有一卷封装,封装盒为TO-252-3,安装类型为SMD/SMT,最低工作温度范围为-55 C,最高工作温度范围+150 C,Id连续漏电流为18.5 a。
STB21NK50ZT4,带有ST制造的电路图。STB21NK0ZT4采用SOT-263封装,是IC芯片的一部分。