9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7471PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7471PBF价格参考1.844美元。Infineon Technologies IRF7471PBF封装/规格：MOSFET N-CH 40V 10A 8SO。您可以下载IRF7471PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7470TRPBF是MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有8-SO的供应商器件封装，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为3430pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为10A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为13 mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为44nC@4.5V，Pd功耗为2.5 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为3.2 ns，上升时间为1.9 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为10 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Vgs第N栅极-源极端电压为2 V，Rds漏极源极电阻为13 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为29nC，正向跨导Min为27S。
IRF7470PBF是MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13欧姆29nC，包括0.8 V至2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于12 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供单位重量功能，如0.019048盎司，典型开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为1.9 ns，漏极-源极电阻Rds为15 mOhms，Qg栅极电荷为29 nC，Pd功耗为2.5 W，封装为管，封装盒为SOIC-8，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11 A，正向跨导最小值为27 S，下降时间为3.2 ns，配置为单四漏三源，信道模式为增强。
IRF7470，电路图由IOR制造。IRF7470在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
IRF7471具有IOR制造的EDA/CAD模型。IRF7471在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
