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Si2302DDS-T1-GE3带有引脚细节，包括Si2302DDS系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SOT-23-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有710 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为7纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.9 a，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.85V，Rds导通漏极-漏极电阻为57mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为3.5nC，正向跨导最小值为13S，沟道模式为增强。
SI2302DS，带有VISHAY制造的用户指南。SI2302DS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
SI2302DS 2.3A，带有TF制造的电路图。SI2302DS 2.3A采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
