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IRF7809AV

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.3A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥61.70951
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥61.71
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 最大功耗 2.5W(Ta)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5伏
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 62 nC @ 5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 13.3A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 9欧姆@15A,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3780 pF @ 16 V

IRF7809AV 产品详情

这种新器件采用了先进的HEXFET功率MOSFET技术,实现了导通电阻和栅极电荷的空前平衡。降低的传导和开关损耗使其成为为最新一代微处理器供电的高效DC-DC转换器的理想选择。

•N通道专用MOSFET
•CPU核心DC-DC转换器的理想选择
•低传导损耗
•低开关损耗
•最大限度地减少用于大电流应用的并联MOSFET
•100%测试RG

 

特色

  • 符合RoHS
  • 低RDS(打开)
  • 行业领先的质量
  • 动态dv/dt额定值
  • 快速切换
  • 完全雪崩等级
  • 175°C工作温度
IRF7809AV所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF7809AV 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF7809AV价格参考¥61.709508,你可以下载 IRF7809AV中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF7809AV规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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