Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
IRF7478PBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 单价: ¥2.02801
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SO
- 最大功耗 2.5W(Ta)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Ta)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V
- 部件状态 Digi-Key停产
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1740 pF@25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 26毫欧姆@4.2A,10V
IRF7478PBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 60V至80V,英飞凌
IRF7478PBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF7478PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF7478PBF价格参考¥2.028012,你可以下载 IRF7478PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF7478PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。