9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP2NK60Z,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STP2NK60Z参考价格为1.181934美元。STMicroelectronics STP2NK60Z封装/规格:MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB。您可以下载STP2NK60Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP2NK100Z是MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220,包括SuperMESH?系列,它们设计用于管式包装,单位重量如数据表注释所示,适用于0.011640盎司,具有通孔等安装方式功能,包装箱设计用于to-220-3以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为通孔,该器件提供1通道数量的通道,该器件具有供应商器件封装的TO-220AB,配置为单一,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,最大功率为70W,晶体管类型为1 N通道,漏极至源极电压Vdss为1000V(1kV),输入电容Cis-Vds为499pF@25V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为1.85A(Tc),最大Id Vgs上的Rds为8.5 Ohm@900mA,10V,Vgs最大Id为4.5V@50μA,栅极电荷Qg Vgs为16nC@10V,Pd功耗为70W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vgs栅极源极电压为30 V,Id连续漏极电流为2A,Vds漏极-源极击穿电压为1000V,Rds漏极源极电阻为8.5欧姆,晶体管极性为N沟道,Qg栅极电荷为16nC,沟道模式为增强。
STP2NC60带有ST制造的用户指南。STP2NC60TO-220封装,是IC芯片的一部分。
STP2NC60FP,带有ST制造的电路图。STP2NC60 FP采用TO-220F封装,是IC芯片的一部分。