国际整流器公司的HEXFET®功率MOSFET采用先进的工艺技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势，再加上国际整流器公司众所周知的加固设备设计，为设计人员提供了一种极其高效、可靠的电池和负载管理设备。
● 超低导通电阻
● P沟道MOSFET
● 非常小的SOIC封装
● 薄型（<1.1mm）
● 提供磁带和卷轴
IRF7704
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥14.09468
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.09
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规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 38 nC @ 4.5 V
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 最大功耗 1.5W（Ta）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.6A (Ta)
- 部件状态 过时的
- 供应商设备包装 8-TSSOP
- 包装/外壳 8-TSSOP (0.173", 4.40毫米 Width)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3150 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 46毫欧姆 @ 4.6A, 10V
IRF7704 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF7704所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF7704 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF7704价格参考￥14.094683，你可以下载 IRF7704中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF7704规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
