9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRLIB4343，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLIB4343参考价格为18.342美元。Infineon Technologies IRLIB4343封装/规格：MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB FP。您可以下载IRLIB434英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRLI640GPBF是MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供40 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为52 ns，上升时间为83 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为9.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为180mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
IRLI630G是由IR制造的N沟道200V 6.2A（Tc）35W（Tc）通孔TO-220-3。IRLI630G可采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分，并支持N沟道200 V 6.2 A（Tc）35W。
IRLI640G是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP。IRLI640G提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 9.9A-TO220FP、N沟道200V 9.9 A（Tc）40W（Tc。
