9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRLL024Z，该产品在9icnet现场销售，可以通过原始工厂和代理商等渠道购买。IRLL024Z参考价格为12.394美元。Infineon Technologies IRLL024Z封装/规格：MOSFET N-CH 55V 5A SOT223。您可以下载IRLL024Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRLL024NPBF是MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223，包括管封装，它们设计为以0.006632盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOT-223-4，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单双漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为4.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds漏极漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为7.4ns，Qg栅极电荷为10.4nC，沟道模式为增强。
IRLL014TRPBF是MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008826 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如9.3 ns，典型的关闭延迟时间设计为17 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为110 ns，器件的漏极-源极电阻为200 mOhms，Pd功耗为2 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2.7 A，下降时间为26 ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
IRLL024NTRPBF是MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223，包括4.4 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供SOT-223-4等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及2.1 W Pd功耗，该器件也可以用作10.4nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为100 mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.006632 oz，Vds漏极源极击穿电压为55 V，Vgs栅极-源极电压为16 V。
