9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFR1010Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRFR1010Z价格参考1.03000美元。Infineon Technologies AUIRFR1010Z软件包/规格：AUIRFR1010-55V-60V N-CHANNEL A。您可以下载AUIRFR010Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如AUIRFR1010Z价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
AUIRFR024NTRR是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhm，包括卷筒封装，它们设计为以0.139332盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单频源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供45 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为4.9ns，Qg栅极电荷为20nC，正向跨导最小值为4.5S，沟道模式为增强。
AUIRFR024N是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 75mΩ，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于4 g，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件还可以用作漏极-源极电阻上的75m欧姆Rds。此外，Qg栅极电荷为13.3 nC，该器件提供45 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为17 a，配置为单通道。
AUIRFP4568-E带有电路图，包括管封装，它们设计为使用硅技术操作。
