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IRF6217TRPBF是MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC,包括卷轴封装,它们设计用于0.019048盎司单位重量的操作,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供SOIC-8等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及1信道数的信道,该器件也可以用作1 P信道晶体管类型。此外,Pd功耗为2.5 W,器件提供20 V Vgs栅极-源极电压,器件具有-700 mA的Id连续漏极电流,Vds漏极-源极击穿电压为-150 V,Rds漏极源极电阻为2.4欧姆,晶体管极性为P沟道,Qg栅极电荷为6 nC。
IRF6218和IR/VISHAY制造的用户指南。IRF6218在TO-220AB封装中提供,是FET的一部分-单个。
IRF6218L,带有由IR制造的电路图。IRF6218L采用TO-262封装,是IC芯片的一部分。