9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSC042NE7NS3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSC042NE7NS3G参考价格为1.05000美元。Infineon Technologies BSC042NE7NS3G软件包/规格：BSC042NE7-12V-300V N-CHANNEL P。您可以下载BSC042NE6NS3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSC042NE7NS3 G是MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSC042NE7 NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GXT SP000657440，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为125 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为52nC，前向跨导Min为89 S 44 S。
BSC042NE7MS，带有FELING制造的用户指南。BSC042NE7MS采用DFN-85X6封装，是IC芯片的一部分。
BSC042NE7NS3，带有INFINEON制造的电路图。BSC042NE7NS3采用QFN-8封装，是FET的一部分-单个。
