ON Semiconductors系列P沟道MOSFET采用ON Semicon专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻，从而为快速切换提供坚固可靠的性能。
特点和优点：•电压控制P通道小信号开关
•高密度电池设计
•高饱和电流
•高级切换
•坚固可靠的性能
•DMOS技术
•负载切换
•DC/DC转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制
特色
- -24 A，-20 VRDS（开启）=0.05Ω@VGS=-4.5 VRDS（打开）=0.07Ω@VGS=-2.7 VRDS（关闭）=0.075Ω@vg=-2.5 V。
- 高温下规定的临界直流电参数。
- 坚固的内部源极-漏极二极管可以消除对外部齐纳二极管瞬态抑制器的需要。
- 175°C最大结温额定值。
- 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计。
- TO-220和TO-263（D2PAK）封装适用于通孔和表面安装应用。
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
