9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF840S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF840S参考价格$5.254。Vishay Siliconix IRF840S封装/规格：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK。您可以下载IRF840S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF840PBF是MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于SIHF830-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为125W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为1300pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为850 mOhm@4.8A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为63nC@10V，Pd功耗为125 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为23ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为8A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为850mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为49ns，典型导通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为63nC，信道模式是增强。
IRF840NSTRLPBF，带有IR制造的用户指南。IRF840INSTRLPBF采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
IRF840NSTRPBF带有由IR制造的电路图。IRF840INSTRPBF以SOT263封装形式提供，是IC芯片的一部分。
IRF840PB是VISHAY制造的MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB。IRF840PB采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB。
