9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR320TRR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR320TRR价格参考1.096美元。Vishay Siliconix IRFR320TRR封装/规格：MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK。您可以下载IRFR320TRR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFR320TRPBF是MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.050717盎司的单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在D-Pak供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为400V，输入电容Ciss Vds为350pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.1A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1.8 Ohm@1.9A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.1A，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRFR320PBF是MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK，包括2 V至4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于400 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，典型开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为14ns，漏极-源极电阻Rds为1.8欧姆，Qg栅极电荷为20nC，Pd功耗为2.5W，封装为管，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为3.1 A，正向跨导最小值为1.7 S，下降时间为13 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRFR320TRLPBF是MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了13 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如3.1 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，Pd功耗为2.5W，Rds漏极-源极电阻为1.8欧姆，上升时间为14ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.050717oz，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IRFR320TR是由IR制造的MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK。IRFR320TRTO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH400V 3.1A DPE、N沟道400V 3.1A（Tc）2.5W（Ta）、42W（Tc。
