9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI600N25N3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI600N25N3G参考价格为1.21000美元。Infineon Technologies IPI600N25N3G软件包/规格：IPI600N35-12V-300V N-CHANNEL P。您可以下载IPI600N2 5N3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI600N25N3 G是MOSFET N-Ch 250V 25A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI600N15N3GAKSA1 IPI600N2 5N3GXK SP000714316，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为25A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds漏极源极导通电阻为60mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22nS，Qg栅极电荷为22nC。
带有用户指南的IPI530N15N3GXKSA1，包括150 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道、商品名设计用于OptiMOS以及Si技术，该设备也可以用作IPI530N15系列。此外，Rds漏极源极电阻为53 mOhms，该器件采用G IPI530N15N3 SP000807642零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为21A。
IPI530N15N3 G是MOSFET N-Ch 150V 21A I2PAK-3，包括1个通道数量的通道，它们设计为与管封装一起工作。数据表注释中显示了用于IPI530N25N3GXKSA1 SP000807642的零件别名，该产品提供XPI530N15等系列功能，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Vds漏极-源极击穿电压为150V。
IPI50R399CPXKSA2带有EDA/CAD型号，包括管包装，它们设计用于to-262-3包装箱。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了零件别名功能，如IPI50R199CP SP001109552。
