9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFR3303TRR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR3303TRR价格参考1.264美元。Infineon Technologies IRFR3303TRR封装/规格：MOSFET N-CH 30V 33A DPAK。您可以下载IRFR3303TRR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFR3303PBF是MOSFET N-CH 30V 33A DPAK，包括管封装，它们设计为以0.13932盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供57 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为99 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为33 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为31mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为19.3nC，正向跨导最小值为9.3S，并且信道模式是增强。
IRFR3303TRPBF是MOSFET N-CH 30V 33A DPAK，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为11 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为99纳秒，漏极-源极电阻Rds为31毫欧，Qg栅极电荷为29 nC，Pd功耗为57 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为33 A，正向跨导最小值为9.3 S，下降时间为28 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRFR3303TR是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 33A DPAK。IRFR3303TR可提供TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 33A-DPAK，N-沟道30V 33V（Tc）57W（Tc）表面安装D-Pak。
IRFR3303TRL是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 33A DPAK。IRFR3303TRL有TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 33A-DPAK，N-沟道30V 33V（Tc）57W（Tc）表面安装D-Pak。
