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IPP60R180C7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 供应商设备包装 PG-TO220-3-1
  • 最大功耗 68W (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 13A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 180毫欧姆@5.3A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 260A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1080 pF@400 V

IPP60R180C7 产品详情

600V CoolMOS™ C7超结(SJ)MOSFET系列可将关断损耗(E操作系统)与CoolMOS相比™ CP,在PFC、TTF和其他硬开关拓扑中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7也是高功率密度充电器设计的完美匹配。

效率和TCO(总拥有成本)应用程序,如大数据中心和高效电信整流器(>96%),受益于CoolMOS提供的更高效率™ C7.PFC中可以实现0.3%至0.7%的增益,LLC拓扑中可以实现0.1%的增益。例如,对于2.5kW服务器PSU,使用600V CoolMOS™ TO-247 4pin封装中的C7 SJ MOSFET可使PSU能量损失的能量成本降低约10%。

特色

  • 降低开关损耗参数,如Q G、C oss、E oss
  • 最佳品质因数Q G*R DS(开启)
  • 增加开关频率
  • 世界最佳R*A
  • 坚固的体二极管
  • 能够提高开关频率而不损失效率
  • 显示轻载和满载效率关键参数的测量
  • 将开关频率提高一倍将使磁性元件的尺寸减半
  • 相同R DS的较小包装(上)
  • 可用于硬开关和软开关拓扑的更多位置

应用

  • 服务器
  • 电信
  • PC电源
  • 太阳的
  • 工业的
  • USB-PD公司
IPP60R180C7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPP60R180C7 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPP60R180C7价格参考¥8.908767,你可以下载 IPP60R180C7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPP60R180C7规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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