9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR9120TRR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR9120TRR参考价格为1.736美元。Vishay Siliconix IRFR9120TRR封装/规格：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK。您可以下载IRFR9120TRR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR9120TRPBF是MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.050717盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63等封装盒功能，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在D-Pak供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道、金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为390pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为600mOhm@3.4A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds导通漏极-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为9.5ns，沟道模式为增强。
IRFR9120TR是由IR制造的MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK。IRFR9120 TR可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH100V 5.6A-DPAK、P沟道100V 5.6V（Tc）2.5W（Ta）、42W（Tc）表面安装D-Pak、Trans-MOSFET P-CH 100 V 5.6A 3-Pin（2+Tab）DPAK T/R。
IRFR9120TRL是由IOR制造的MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK。IRFR9120TRL采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 100V 5.6A DPak、P沟道100V 5.6V（Tc）2.5W（Ta）、42W（Tc）表面安装D-Pak。
