9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR9214TR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR9214TR价格参考0.996美元。Vishay Siliconix IRFR9214TR封装/规格:MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK。您可以下载IRFR9214TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR9210TRPBF是MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK,包括卷轴封装,它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能,技术设计为在Si中工作,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 P沟道,器件提供2.5 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为13 ns,上升时间为12 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏电流为1.9 A,Vds漏极-源极击穿电压为-200 V,Rds漏极源极电阻为3欧姆,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为11 ns,典型接通延迟时间为8 ns,沟道模式为增强。
IRFR9214PBF是MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在-250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.050717盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如11 ns,典型的关闭延迟时间设计为20 ns,以及1 P沟道晶体管类型,该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,器件的上升时间为14 ns,器件的漏极-源极电阻为3欧姆,Pd功耗为50 W,封装为管,封装外壳为TO-252-3,通道数为1通道,安装方式为SMD/SMT,其最低工作温度范围为-55 C,其最大工作温度范围为+150℃,Id连续漏电流为2.7A,下降时间为17ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
IRFR9214是由IOR制造的MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK。IRFR9214采用TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET P-CH 250V 2.7A DPak、P沟道250V 2.7V(Tc)50W(Tc)表面安装D-Pak。