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IRF9395MTRPBF是MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET,包括HEXFETR系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)封装,安装样式如数据表注释所示,用于SMD/SMT,提供商品名功能,如DIRECTFET,包装盒设计用于DIRECTFET?Isometric MC以及Si技术,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,设备提供2信道数信道,设备具有DIRECTFET?供应商设备包的MC,配置为双重,FET类型为2 P通道(双重),最大功率为2.1W,晶体管类型为2 P-通道,漏极至源极电压Vdss为30V,输入电容Cis Vds为3241pF@15V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为14A,最大Id Vgs上的Rds为7 mOhm@14A,10V,Vgs最大Id为2.4V@50μA,栅极电荷Qg-Vgs为64nC@10V,Pd功耗为2.1W,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为-14 A,Vds漏极-源极击穿电压为-30 V,Rds漏极源极电阻为9 mOhms,晶体管极性为P沟道,Qg栅极电荷为64 nC。
IRF9410是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC。IRF9410可提供8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH30V 7A 8-SOIC,N沟道30V 7A(Ta)2.5W(Ta)表面安装8-SO。
IRF9410(白色),电路图由IOR制造。IRF9410(白色)采用SOP8封装,是IC芯片的一部分。