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IPP60R099CPA是MOSFET N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CPA，包括CoolMOS CPA系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP60RO99CPAAKSA1 IPP60RO 99CPAXK SP000315418，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为255 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为31A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为99mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPP60R099CP是MOSFET N-CH 650V 31A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计用于60 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联的CoolMOS CP，上升时间为5 ns，漏极源极电阻Rds为99 mOhms，Pd功耗为255 W，部件别名为IPP60R099CPXK IPP60RO 99CPXKSA1 SP000057021，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为31 A，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP60R099CP 6R099P，电路图由FEELING制造。IPP60R099CP 6R099P采用TO220封装，是IC芯片的一部分。
IPP60R099CP（6R099），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP60R099CP（6R099）采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
