9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFSL41N15D，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFSL41N15D价格参考2.902美元。Infineon Technologies IRFSL41N15D封装/规格：MOSFET N-CH 150V 41A TO262。您可以下载IRFSL41N15D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFSL4010PBF是MOSFET N-CH 100V 180A TO-262，包括管封装，它们的设计工作单位重量为0.084199盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装外壳功能，如I2PAK-3，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为375 W，器件提供20 V Vgs栅极-源极电压，器件具有180 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为3.9 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为143 nC。
IRFSL4115PBF是MOSFET MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该器件也可以用作10.3毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为77 nC，该器件提供375 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为99 a。
IRFSL3607PBF是MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC，包括80A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装方式，数据表中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供I2PAK-3等封装外壳功能，封装设计用于管内，以及140W Pd功耗，该器件也可以用作56nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为7.34 mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.084199 oz，Vds漏极源极击穿电压为75 V，Vgs栅极-源极电压为20 V。
IRFSL3806PBF是MOSFET N-CH 60V 43A TO-262，包括管封装，它们设计用于通孔安装方式，技术如数据表注释所示，用于硅，提供晶体管极性特性，如N沟道，封装外壳设计用于I2PAK-3，以及71 W Pd功耗，该器件也可以用作60V Vds漏极-源极击穿电压。此外，Id连续漏极电流为43 A，器件提供22 nC Qg栅极电荷，器件具有20 V Vgs栅极-源极电压，漏极-源极电阻Rds为12.6 mOhms，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.084199盎司。
