9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFL9110PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFL9110PBF参考价格为0.476美元。Vishay Siliconix IRFL9110PBF封装/规格：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223。您可以下载IRFL9110PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFL9014PBF是MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223，包括IRF/SIHFL9014系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.008826盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-223-3以及Si技术，该器件也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 P沟道晶体管型，该器件具有2 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31 ns，上升时间为63 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为1.8A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-电源电阻为500mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为9.6ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
IRFL9014TRPBF是MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008826盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为9.6 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为IRF/SIHFL9014系列，该器件的上升时间为63 ns，漏极电阻Rds为500 mOhms，Pd功耗为2 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为1.8 A，下降时间为31 ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
IRFL9014TR是由IR制造的MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223。IRFL9014TR可在TO-261-4、TO-261AA封装中获得，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET P-CH60V 1.8A/SOT223、P沟道60V 1.8V（Tc）2W（Ta）、3.1W（Tc）表面安装SOT-223。
IRFL9110是由IR制造的MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223。IRFL9111可提供TO-261-4、TO-261AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH100V 1.1B SOT223、P沟道100V 1.1C（Ta）2W（Ta）、3.1W（Tc）表面安装SOT-223、Trans-MOSFET P-CH 100 V 1.1A 4引脚（3+Tab）SOT-223。
