9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF2807ZSTRL,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF2807ZSTRL参考价格为0.544美元。Vishay Siliconix IRF2807ZSTRL封装/规格:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK。您可以下载IRF2807ZSTRL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF2807ZSPBF是MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK,包括管封装,它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能,技术设计为在Si中工作,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供170 W Pd功耗,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为45 ns,上升时间为79 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为89 A,Vds漏极-源极击穿电压为75V,Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V,Rds导通漏极-漏极电阻为9.4mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为40ns,典型接通延迟时间为18ns,Qg栅极电荷为71nC,正向跨导最小值为67S,沟道模式为增强。
IRF2807ZPBF是MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.211644盎司,提供晶体管类型功能,如1 N沟道,晶体管极性设计为在N沟道工作,以及Si技术,该器件也可以用作9.4毫欧Rds漏极-源极电阻。此外,Qg栅极电荷为71 nC,该器件提供170 W Pd功耗,该器件具有封装管,封装盒为TO-220-3,通道数为1通道,安装方式为通孔,Id连续漏电流为89 a。
IRF2807ZLPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 75V 75A TO-262。IRF2807 ZLPBF可用于TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装,是FET的一部分-单体,并支持MOSFET N-CH75V 75A-TO-262、N沟道75V 75V(Tc)170W(Tc。
IRF2807ZS是由IR制造的MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK。IRF2807 ZS有TO-263-3、D²Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH75V 75V D2PAK、N沟道75V 75B(Tc)170W(Tc。