9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF2807ZSTRR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF2807ZSTRR参考价格为6.606美元。Vishay Siliconix IRF2807ZSTRR封装/规格：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK。您可以下载IRF2807ZSTRR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF2807ZSPBF是MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供170 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为79 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为89 A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为71nC，正向跨导最小值为67S，沟道模式为增强。
IRF2807ZSTRLPBF是MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK，包括4 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及Si技术，该装置也可以用作79ns上升时间。此外，Rds漏极-源极电阻为9.4 mOhm，器件提供110 nC Qg栅极电荷，器件具有170 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏极电流为89 a，正向跨导Min为67S，下降时间为45ns，配置为Single。
IRF2807ZPBF是MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB，包括89 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，通道数量如数据表注释所示，用于1通道，提供TO-220-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及170 W Pd功耗，该器件也可以用作71nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为9.4毫欧，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极源极击穿电压为75伏，Vgs栅极-源极电压为20伏。
IRF2807ZS是由IR制造的MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK。IRF2807 ZS有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH75V 75V D2PAK、N沟道75V 75B（Tc）170W（Tc。
