9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR110TRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR110TRRPBF参考价格为3.418美元。Vishay Siliconix IRFR110TRRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK。您可以下载IRFR110TRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR110TRPBF是MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为以0.050717盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63等封装盒功能，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在D-Pak供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为180pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.3A（Tc），最大Id Vgs的Rds为540 mOhm@2.6A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.3nC@10V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.4 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.3A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为540mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为6.9ns，沟道模式为增强。
IRFR110TR是由IR/VISHAY制造的MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK。IRFR110TR可采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 4.3A DPak、N沟道100V 4.3B（Tc）2.5W（Ta）、25W（Tc）表面安装D-Pak、Trans-MOSFET N-CH 100 V 4.3A 3-Pin（2+接线片）DPak。
IRFR110TRL是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK。IRFR110TR可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 4.3A-DPAK、N沟道100V 4.3V（Tc）2.5W（Ta）、25W（Tc）表面安装D-Pak。
