9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF3205ZSTRR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF3205ZSTRR参考价格为7.144美元。Vishay Siliconix IRF3205ZSTRR封装/规格：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK。您可以下载IRF3205ZSTRR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF3205ZSTRLPBF是MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg，包括卷筒封装，它们设计为以0.13932盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供170 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为67 ns，上升时间为95 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为110 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型导通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为76nC，正向跨导Min为71S。
IRF3205ZPBF是MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作6.5mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为76 nC，器件提供170 W Pd功耗，器件具有封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为110 a。
IRF3205ZS是由is制造的MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK。IRF3205ZS可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH55V 75V D2PAK、N沟道55V 75B（Tc）170W（Tc。
IRF3205ZSPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK。IRF3205ZSPBF有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH55V 75A-D2PAK，Trans-MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin（2+Tab）D2PAK。
