9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR310TRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR310TRRPBF参考价格为7.99美元。Vishay Siliconix IRFR310TRRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK。您可以下载IRFR310TRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFR310TRPBF是MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.050717盎司的单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在D-Pak供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为400V，输入电容Cis Vds为170pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.7A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3.6 Ohm@1A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为9.9 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1.7A，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为7.9ns，沟道模式为增强。
IRFR310TRLPBF是MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在400 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为21 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为9.9ns，器件的漏极-源极电阻为3.6欧姆，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1.7 A，下降时间为11 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFR310TRL是由IOR制造的MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK。IRFR310TRL可采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 400V 1.7A DPak、N通道400V 1.7A（Tc）2.5W（Ta）、25W（Tc）表面安装D-Pak、Trans MOSFET N-CH400V 1.7A 3-Pin（2+接线片）DPak T/R。
IRFR310TRPLBF带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRFR310TR PLBF采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
