9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFR3711PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR3711PBF价格参考2.96美元。Infineon Technologies IRFR3711PBF封装/规格：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK。您可以下载IRFR3711PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFR3710ZTRLPBF是MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 69nC，包括卷筒封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供140 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为43 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.1 A，并且Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为18m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为53ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为69nC，正向跨导最小值为39S，沟道模式为增强。
IRFR3710ZPBF是MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18欧姆69nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于100 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为53 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为43 ns，器件的漏极-源极电阻为18 mOhms，Qg栅极电荷为69 nC，Pd功耗为140 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为56A，下降时间为42ns，配置为单一，通道模式为增强。
IRFR3710ZTRPBF是MOSFET N-CH 100V 42A DPAK，包括单一配置，它们设计为在42 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了39 S中使用的最小正向跨导，提供Id连续漏极电流功能，如56 a，其最大工作温度范围为+175 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用卷筒封装，器件具有140W的Pd功耗，Qg栅极电荷为100nC，Rds漏极-源极电阻为18m欧姆，上升时间为43ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.13932盎司，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V。
IRFR3711是由IR制造的MOSFET N-CH 20V 100A DPAK。IRFR371可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH20V 100A DPE、N沟道20V 100A（Tc）2.5W（Ta）、120W（Tc）表面安装D-Pak。
