9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFR3711TRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR3711TRRPBF参考价格为0.488美元。Infineon Technologies IRFR3711TRRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK。您可以下载IRFR3711TRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR3711TRLPBF是MOSFET N-CH 20V 100A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为120 W，器件提供20 V Vgs栅极-源极电压，器件具有110 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为8.5 mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为29 nC。
IRFR3711TRPBF是MOSFET N-CH 20V 100A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.139332盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作8.5毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为29 nC，该器件提供120 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为110 a。
IRFR3711TR是由IR制造的MOSFET N-CH 20V 100A DPAK。IRFR3711TR可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH20V 100A DPE、N沟道20V 100A（Tc）2.5W（Ta）、120W（Tc）表面安装D-Pak。
IRFR3711TRL是由IR制造的MOSFET N-CH 20V 100A DPAK。IRFR3711TRL可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH20V 100A DPE、N沟道20V 100A（Tc）2.5W（Ta）、120W（Tc）表面安装D-Pak。
