9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW34NB20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW34NB20参考价格为0.924美元。STMicroelectronics STW34NB20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3。您可以下载STW34NB20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW33N60M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可用于1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有190 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为9.6 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为26 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为108mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为109ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为45.5nC。
STW34N65M5是MOSFET N-CH 650V 28A TO-247，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在1.340411盎司单位重量下工作。数据表中显示了用于N沟道的晶体管极性，该N沟道提供Si等技术特性，系列设计用于MDmesh M5，以及110 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作190W Pd功率耗散。此外，包装为管式，装置采用TO-247-3包装盒，装置具有安装式通孔，Id连续漏电流为18.3A。
STW34N20带有ST制造的电路图。STW34N20采用TO247封装，是IC芯片的一部分。
