9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDD5810，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDD5810参考价格为3.528美元。onsemi FDD5810封装/规格：MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK。您可以下载FDD5810英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD5690是MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于FDD5690_NL，提供单位重量功能，如0.009184盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-252，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1110pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为30A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为27mOhm@9A、10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为32nC@10V，Pd功耗为3.2W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10纳秒，上升时间为9纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为30 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为23毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24纳秒，典型接通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为24S，信道模式为增强。
FDD5680是MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用PowerTrench系列，该器件的上升时间为9 ns，漏极源极电阻Rds为17 mOhms，Pd功耗为60 W，零件别名为FDD5680_NL，包装为卷轴式，包装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为38 A，正向跨导最小值为30 S，下降时间为16 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FDD5690P，电路图由FSC制造。FDD5690P采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
