9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW20NB50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW20NB50参考价格为1.65美元。STMicroelectronics STW20NB50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3。您可以下载STW20NB50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW20N65M5是MOSFET N-CH 650V 18A TO247，包括MDmesh M5系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供130 W Pd功耗，器件具有7.5 ns的下降时间，上升时间为7.5 ns，Vgs栅极-源极电压为650 V，Id连续漏极电流为18 a，Vds漏极-源极击穿电压为650伏，Vgs第h栅极-源阈值电压为4伏，漏极-源极电阻Rds为190mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为36nC。
STW20N95K5是MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在950 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作MDmesh K5系列。此外，Rds漏极-源极电阻为330 mOhm，器件提供40 nC Qg栅极电荷，器件具有250 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为17.5 A。
STW20N90K5（带有ST制造的电路图）是IC芯片的一部分，N沟道900V 20A（Tc）250W（Tc）通孔TO-247，Trans MOSFET N-CH 900V 20A3引脚（3+Tab）TO-247管。
