9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF4NK50ZD，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF4NK50ZD参考价格为5.742美元。STMicroelectronics STF4NK50ZD封装/规格：MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP。您可以下载STF4NK50ZD英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF45N65M5是MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP，包括MDmesh？V系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220FP，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为40W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为650V，输入电容Cis-Vds为3375pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为35A（Tc），最大Id Vgs的Rds为78mOhm@19.5A，10V，Vgs最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为91nC@10V，Pd功耗为40W，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，漏极-漏极电阻为78m欧姆，晶体管极性为N沟道。
带用户指南的STF4N80K5，包括第4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供0.011640 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为16.5 ns，以及36 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以SuperMesh商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为MDmesh K5，上升时间为15 ns，漏极-源极电阻Rds为2.1欧姆，Qg栅极电荷为10.5 nC，Pd功耗为20 W，封装为Tube，封装外壳为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为3A，下降时间为21ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF4N62K3是MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220FP，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了19 ns的下降时间，提供了3.8 a等Id连续漏极电流特性，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为25W，Qg栅极电荷为22nC，漏极电阻Rds为2欧姆，上升时间为9ns，系列为N信道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为29ns，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.011640oz，Vds漏极-源极击穿电压为620V，Vgs栅极-源极电压为30V。
STF4A60F，带有SeniWell制造的EDA/CAD模型。STF4A60F采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
