9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW30N20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW30N20参考价格$8.712。STMicroelectronics STW30N20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3。您可以下载STW30N20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW28NM50N是MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有150 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，下降时间为52 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅源电压为+/-25 V，Id连续漏电流为21 a，Vds漏源击穿电压为500 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为4V，Rds漏极-源极电阻为158mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为13.6ns，Qg栅极电荷为50nC，正向跨导Min为1.5V。
STW28NM60ND带有用户指南，包括4 V Vgs第四栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为23.5 ns，以及92 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道MDmesh系列，上升时间为21.5ns，漏极-源极电阻Rds为150mOhms，Qg栅极电荷为62.5nC，Pd功耗为190W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1沟道，安装类型为通孔，Id连续漏电流为23A，下降时间为27ns，配置为单。
STW28NK60Z是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 27A TO-247。STW28NK50Z可在TO-247-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 27A TO-247、N沟道600V 27A（Tc）350W（Tc。
STW29NK50Z是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 31A TO-247。STW29NK 50Z以TO-247-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 31A TO-247、N沟道500V 31A（Tc）350W（Tc）通孔TO-247-3、Trans MOSFET N-CH2500V 31A 3引脚（3+Tab）TO-247管。
