9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP270N04，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP270N04参考价格9.922美元。STMicroelectronics STP270N04封装/规格：MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB。您可以下载STP270N04英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP26NM60N是MOSFET N-CH 600V 20A TO-220，包括MDmesh？II系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为140W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为1800pF@50V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为20A（Tc），最大Id Vgs的Rds为165 mOhm@10A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为60nC@10V，Pd功耗为140 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为25ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为165mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型导通延迟时间为13ns，沟道模式为增强型。
STP26NM60ND为MOSFET N-CH 600V 0.145欧姆（典型值）。21A FDmesh II，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供0.011640 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为22 ns，以及69 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道MDmesh系列，上升时间为14.5 ns，Rds漏极-源极电阻为145 mOhms，Qg栅极电荷为54.6 nC，Pd功耗为190 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，Id连续漏电流为21A，下降时间为27.5ns，配置为单。
STP265N6F6AG带有电路图，包括通孔安装型，它们设计用于to-220-3封装盒，包装如数据表注释所示，用于管，提供N沟道STripFET等系列功能，技术设计用于硅，以及0.011640盎司单位重量。
