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BUK9Y107-80EX是MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK，包括TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SC-100、SOT-669、4-LFPAK等封装盒功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装类型。此外，信道数为1信道，该设备采用LFPAK Power-SO8供应商设备包提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为37W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为80V，输入电容Cis-Vds为706pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为11.8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为98 mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为2.1V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为6.2nC@5V，Pd功耗为37 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.3 ns，上升时间为7.5 ns，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为11.8A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为89.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.6ns，典型导通延迟时间为5.5ns，Qg栅极电荷为6.2nC，信道模式为增强。
BUK9Y104-100B，带有NXP制造的用户指南。BUK9Y104-100B采用N沟道封装，是FET的一部分-单个。
BUK9Y11-30B，带有NXP制造的电路图。BUK9Y11-30B在LFPAK封装中提供，是FET的一部分-单个。
