9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRLI620GPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLI620GPBF参考价格为3.316美元。Vishay Siliconix IRLI620GPBF封装/规格：MOSFET N-CH 200V 4A TO220-3。您可以下载IRLI620GPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRLI620GPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRLI620G是MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供30 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅源电压为10 V，Id连续漏电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为800m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为4.2ns，沟道模式为增强。
IRLI540NPBF是MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作63mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为49.3 nC，该器件提供42 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为20 a。
IRLI540N是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP。IRLI540N可提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH100V 23A-TO220FP、N沟道100V 23B（Tc）54W（Tc）通孔TO-220AB全封装。
