9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTB4302G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTB4302G参考价格为0.27000美元。onsemi NTB4302G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK。您可以下载NTB4302G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTB35N15T4G是MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK，包括NTB35N1 5系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.139332盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有178 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为120 ns，上升时间为125 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为37 a，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为26S，沟道模式为增强。
NTB30N20T4G是ON公司制造的MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK。NTB30N20T4G有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH200V 30V D2PAK、N沟道200V 30B（Ta）2W（Ta）、214W（Tc）表面安装D2PAK，Trans MOSFET N-CH200V 30A 3-Pin（2+Tab）D2PAK T/R。
NTB35N15，带有ON公司制造的电路图。NTB35N1 5采用D2PAK3LEAD封装，是IC芯片的一部分。
NTB35N15G是ON公司制造的MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK。NTB35N25G有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH150V 37B D2PAK、Trans MOSFET N-CH250V 37A 3-Pin（2+Tab）D2PAK管。
