9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDD8586，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDD8586参考价格为3.432美元。onsemi FDD8586封装/规格：MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA。您可以下载FDD8856英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD850N10L是MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3，包括卷轴封装，它们设计为在0.009184盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为50 W，其最大工作温度范围为+175 C，器件具有15.7 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为64 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为22.2 nC，正向跨导最小值为31 S。
FDD850N10LD是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK。FDD850N10LD可用于TO-252-5、DPak（4引线+接线片）、TO-252AD封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 15.3A DPak、N沟道100V 15.3B（Tc）42W（Tc）表面安装TO-252-5，MOSFET 100V、15.7A、75mOhm N沟道BoostPak。
FDD8850是由FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 20V 35A DPAK。FDD8850可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 20V 35A DPak、N通道20V 35A（Tc）49.5W（Tc）表面安装D-PAK（TO-252AA）。
